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R6504END3TL1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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| Menge | |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerR6504END3TL1
Bestellnummer3702496RL
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id4A
Betriebswiderstand, Rds(on)0.955ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.955ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung58W
Verlustleistung Pd58W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.955ohm
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
58W
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.955ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Verlustleistung Pd
58W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001