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R8002ANJFRGTL
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 4.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
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| Menge | |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerR8002ANJFRGTL
Bestellnummer3406514RL
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds800V
Dauer-Drainstrom Id2A
Betriebswiderstand, Rds(on)3.3ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand4.3ohm
Bauform - TransistorTO-263S
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung Pd62W
Verlustleistung62W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
Qualifizierungsstandard der AutomobilindustrieAEC-Q101
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
800V
Betriebswiderstand, Rds(on)
3.3ohm
Bauform - Transistor
TO-263S
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung Pd
62W
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
AEC-Q101
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
4.3ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Verlustleistung
62W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001