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RE1C001ZPTL
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,220 |
| 10+ | € 0,137 |
| 100+ | € 0,0668 |
| 500+ | € 0,0611 |
| 1000+ | € 0,0525 |
| 5000+ | € 0,0391 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5
Mehrere: 5
€ 1,10 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerRE1C001ZPTL
Bestellnummer2706622
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand2.5ohm
Bauform - TransistorSC-89
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1V
Verlustleistung150mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
100mA
Bauform - Transistor
SC-89
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
150mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
2.5ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000072
Produktnachverfolgung