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RGE60TS65DGC13
IGBT, 51 A, 1.65 V, 166 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 6,490 |
| 10+ | € 4,740 |
| 100+ | € 3,840 |
| 500+ | € 3,630 |
| 1000+ | € 3,410 |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerRGE60TS65DGC13
Bestellnummer4633480
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom51A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.65V
Verlustleistung166W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.650V
Bauform - TransistorTO-247GE
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageDurchsteckmontage
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
51A
Verlustleistung
166W
Bauform - Transistor
TO-247GE
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
-
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.65V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
650V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
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