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RGT8NS65DGTL
IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263S, 3 Pin(s)
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| Menge | |
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| 10+ | € 1,260 |
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| 500+ | € 0,690 |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerRGT8NS65DGTL
Bestellnummer2519786
Technisches Datenblatt
Kontinuierlicher Kollektorstrom8A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.65V
Verlustleistung65W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.650V
Bauform - TransistorTO-263S
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (23-Jan-2024)
Technische Spezifikationen
Kontinuierlicher Kollektorstrom
8A
Verlustleistung
65W
Bauform - Transistor
TO-263S
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.65V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
650V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002
Produktnachverfolgung