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RHK005N03FRAT146
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.35 ohm, SMD, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,457 |
| 10+ | € 0,355 |
| 100+ | € 0,239 |
| 500+ | € 0,168 |
| 1000+ | € 0,149 |
| 5000+ | € 0,130 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerRHK005N03FRAT146
Bestellnummer2576218
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.35ohm
Bauform - TransistorSMD
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung200mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
500mA
Bauform - Transistor
SMD
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
200mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.35ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Alternativen für RHK005N03FRAT146
1 Produkt(e) gefunden
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.033
Produktnachverfolgung