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RQ1A070APTR
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 7 A, 0.01 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 3000+ | € 0,311 |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerRQ1A070APTR
Bestellnummer4203020RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds12V
Dauer-Drainstrom Id7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.01ohm
Bauform - TransistorTSMT
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1V
Verlustleistung1.5W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCBoric acid (14-Jun-2023)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
7A
Bauform - Transistor
TSMT
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
1.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.01ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
Boric acid (14-Jun-2023)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Boric acid (14-Jun-2023)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung