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RSM002N06T2L
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, VMT, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,248 |
| 50+ | € 0,128 |
| 250+ | € 0,082 |
| 1000+ | € 0,0686 |
| 4000+ | € 0,0672 |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerRSM002N06T2L
Bestellnummer2706672
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand1.7ohm
Bauform - TransistorVMT
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.3V
Verlustleistung150mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.-
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
250mA
Bauform - Transistor
VMT
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
150mW
Betriebstemperatur, max.
-
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1.7ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.003316