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RTQ020N05FRATR
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,512 |
| 10+ | € 0,332 |
| 100+ | € 0,218 |
| 500+ | € 0,178 |
| 1000+ | € 0,157 |
| 5000+ | € 0,138 |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerRTQ020N05FRATR
Bestellnummer2769553
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds45V
Dauer-Drainstrom Id2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.19ohm
Bauform - TransistorTSMT
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.5V
Verlustleistung1.25W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
Produktbeschreibung
Hinweise
Dieses Produkt dient Evaluierungs- und Entwicklungszwecken. Bitte wenden Sie sich an Ihre örtliche ROHM-Niederlassung, wenn Sie dieses Produkt für Kfz-Anwendungen zulassen möchten.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
2A
Bauform - Transistor
TSMT
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
1.25W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
45V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.19ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.5V
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für RTQ020N05FRATR
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001