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RZF013P01TL
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 1.3 A, 0.19 ohm, SOT-323T, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | € 0,156 |
| 500+ | € 0,148 |
| 1000+ | € 0,139 |
| 5000+ | € 0,136 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerRZF013P01TL
Bestellnummer2706701RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds12V
Dauer-Drainstrom Id1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.19ohm
Bauform - TransistorSOT-323T
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1V
Verlustleistung800mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
1.3A
Bauform - Transistor
SOT-323T
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
800mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.19ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00003
Produktnachverfolgung