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SCT4026DWAHRTL
Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 51 A, 750 V, 0.034 ohm, TO-263
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| Menge | |
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| 50+ | € 8,370 |
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Produktspezifikationen
HerstellerROHM
HerstellerteilenummerSCT4026DWAHRTL
Bestellnummer4365765RL
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id51A
Drain-Source-Spannung Vds750V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.034ohm
Bauform - TransistorTO-263
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.8V
Verlustleistung150W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
51A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.034ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.8V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
To Be Advised
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
750V
Bauform - Transistor
TO-263
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
150W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.01
Produktnachverfolgung