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MOSFET-Konfiguration Kanaltyp Wandlerpolarität Dauer-Drainstrom Id Drain-Source-Spannung Vds Betriebswiderstand, Rds(on) Drain-Source-Durchgangswiderstand Bauform - Transistor Anzahl der Pins Rds(on)-Prüfspannung Gate-Source-Schwellenspannung, max. Verlustleistung Pd Verlustleistung Betriebstemperatur, max.
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
SCTH35N65G2V-7AG
SCTH35N65G2V-7AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK

3764233RL

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK

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Eins n-Kanal n-Kanal 45A 650V 0.045ohm 0.045ohm H2PAK 7Pin(s) 20V 3.2V 208W 208W 175°C
SCTH35N65G2V-7
SCTH35N65G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK

3387271RL

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK

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SCTH35N65G2V-7AG
SCTH35N65G2V-7AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK

3764233

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK

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SCTH35N65G2V-7
SCTH35N65G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK

3387271

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK

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Eins n-Kanal n-Kanal 45A 650V 0.045ohm 0.045ohm H2PAK 7Pin(s) 20V 3.2V 208W 208W 175°C