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SCTH35N65G2V-7AG
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSCTH35N65G2V-7AG
Bestellnummer3764233
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 11,300 |
| 5+ | € 10,610 |
| 10+ | € 9,920 |
| 50+ | € 9,130 |
| 100+ | € 7,890 |
| 250+ | € 7,650 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSCTH35N65G2V-7AG
Bestellnummer3764233
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id45A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.045ohm
Bauform - TransistorH2PAK
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.2V
Verlustleistung208W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.045ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.2V
Betriebstemperatur, max.
175°C
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
H2PAK
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
208W
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00154
Produktnachverfolgung