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SKM300GB12T4
IGBT-Modul, Halbbrücke, 422 A, 1.85 V, 175 °C, Modul
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Produktspezifikationen
HerstellerSEMIKRON
HerstellerteilenummerSKM300GB12T4
Bestellnummer2423697
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationHalbbrücke
WandlerpolaritätZweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom422A
Dauerkollektorstrom422A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.85V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)1.85V
Verlustleistung Pd-
Verlustleistung-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo1.2kV
Sperrschichttemperatur Tj, max.175°C
Betriebstemperatur, max.175°C
Bauform - TransistorModul
Anzahl der Pins7Pin(s)
IGBT-AnschlussStiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
IGBT-TechnologieIGBT 4 Fast [Trench]
TransistormontagePlatte
Produktpalette-
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Halbbrücke
DC-Kollektorstrom
422A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.85V
Verlustleistung Pd
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1.2kV
Betriebstemperatur, max.
175°C
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
Transistormontage
Platte
Wandlerpolarität
Zweifach n-Kanal
Dauerkollektorstrom
422A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
1.85V
Verlustleistung
-
Sperrschichttemperatur Tj, max.
175°C
Bauform - Transistor
Modul
IGBT-Anschluss
Stiftbolzen
IGBT-Technologie
IGBT 4 Fast [Trench]
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Slovak Republic
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Slovak Republic
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.18
Produktnachverfolgung