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HerstellerSEMIKRON
HerstellerteilenummerSKYPER 32 R
Bestellnummer1300530
ProduktpaletteSKYPER Series
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
1+ | € 110,650 |
5+ | € 102,870 |
10+ | € 93,660 |
Preiseinheit:Stück
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Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerSEMIKRON
HerstellerteilenummerSKYPER 32 R
Bestellnummer1300530
ProduktpaletteSKYPER Series
Technisches Datenblatt
Anzahl der Kanäle2Kanäle
IGBT-KonfigurationZweifach [Halbbrücke]
Dauerkollektorstrom-
TreiberkonfigurationHalbbrücke
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung-
LeistungsschalterIGBT
Verlustleistung-
Betriebstemperatur, max.85°C
Anzahl der Pins40Pin(s)
Bauform - TransistorDIP
IC-Gehäuse / BauformPCB
IC-MontageDurchsteckmontage
IGBT-AnschlussLötanschluss
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.7kV
IGBT-Technologie-
TransistormontageDurchsteckmontage
ProduktpaletteSKYPER Series
Versorgungsspannung, min.14.4V
Versorgungsspannung, max.15.6V
Betriebstemperatur, min.-40°C
Eingabeverzögerung1.1µs
Ausgabeverzögerung1.1µs
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Produktbeschreibung
The SKYPER 32 R is a Dual IGBT Driver IC, the 32-core constitutes an interface between IGBT modules and the controller. The driver is developed according to the requirements of UL standard. This core is a half bridge driver. Basic functions for driving, potential separation and protection are integrated in the driver. Thus it can be used to build up a driver solution for IGBT module.
- Two output channels
- Integrated potential free power supply for secondary side
- Short pulse suppression
- Under voltage protection
- Drive interlock (dead time) top/bottom (DT)
- Shutdown input
- Up to 1200VDC bus voltage
Anwendungen
Industrie
Technische Spezifikationen
Anzahl der Kanäle
2Kanäle
Dauerkollektorstrom
-
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
-
Verlustleistung
-
Anzahl der Pins
40Pin(s)
IC-Gehäuse / Bauform
PCB
IGBT-Anschluss
Lötanschluss
IGBT-Technologie
-
Produktpalette
SKYPER Series
Versorgungsspannung, max.
15.6V
Eingabeverzögerung
1.1µs
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT-Konfiguration
Zweifach [Halbbrücke]
Treiberkonfiguration
Halbbrücke
Leistungsschalter
IGBT
Betriebstemperatur, max.
85°C
Bauform - Transistor
DIP
IC-Montage
Durchsteckmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.7kV
Transistormontage
Durchsteckmontage
Versorgungsspannung, min.
14.4V
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Ausgabeverzögerung
1.1µs
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.029