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GD1400HFX170P2S
IGBT-Modul, Halbbrücke, 2.342 kA, 1.95 V, 9.37 kW, 150 °C, Modul
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Produktspezifikationen
HerstellerSTARPOWER
HerstellerteilenummerGD1400HFX170P2S
Bestellnummer3549224
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationHalbbrücke
DC-Kollektorstrom2.342kA
Dauerkollektorstrom2.342kA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.95V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)1.95V
Verlustleistung Pd9.37kW
Verlustleistung9.37kW
Sperrschichttemperatur Tj, max.150°C
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussStiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo1.7kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.7kV
IGBT-TechnologieTrench/Feldstop
TransistormontagePlatte
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Halbbrücke
Dauerkollektorstrom
2.342kA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
1.95V
Verlustleistung
9.37kW
Betriebstemperatur, max.
150°C
IGBT-Anschluss
Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.7kV
Transistormontage
Platte
SVHC
To Be Advised
DC-Kollektorstrom
2.342kA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.95V
Verlustleistung Pd
9.37kW
Sperrschichttemperatur Tj, max.
150°C
Bauform - Transistor
Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1.7kV
IGBT-Technologie
Trench/Feldstop
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.3