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GD450HFX170C6S
IGBT-Modul, Halbbrücke, 706 A, 1.85 V, 2.542 kW, 150 °C, Modul
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Produktspezifikationen
HerstellerSTARPOWER
HerstellerteilenummerGD450HFX170C6S
Bestellnummer3549257
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationHalbbrücke
Dauer-Kollektorstrom706A
DC-Kollektorstrom706A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.85V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)1.85V
Verlustleistung2.542kW
Verlustleistung Pd2.542kW
Sperrschichttemperatur Tj, max.150°C
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussEinpressmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.7kV
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo1.7kV
IGBT-TechnologieTrench/Feldstop
TransistormontagePlatte
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Halbbrücke
DC-Kollektorstrom
706A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
1.85V
Verlustleistung Pd
2.542kW
Betriebstemperatur, max.
150°C
IGBT-Anschluss
Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1.7kV
Transistormontage
Platte
SVHC
To Be Advised
Dauer-Kollektorstrom
706A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.85V
Verlustleistung
2.542kW
Sperrschichttemperatur Tj, max.
150°C
Bauform - Transistor
Modul
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.7kV
IGBT-Technologie
Trench/Feldstop
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.2