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GD75HFX65C1S
IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 1.45 V, 258 W, 150 °C, Modul
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 33,680 |
| 5+ | € 31,750 |
| 10+ | € 29,690 |
| 50+ | € 28,610 |
| 100+ | € 27,760 |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTARPOWER
HerstellerteilenummerGD75HFX65C1S
Bestellnummer3912063
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationHalbbrücke
Dauerkollektorstrom100A
DC-Kollektorstrom100A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)1.45V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.45V
Verlustleistung Pd258W
Verlustleistung258W
Sperrschichttemperatur Tj, max.150°C
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussStiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung, max.650V
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo650V
IGBT-TechnologieTrench-Transistor
TransistormontagePlatte
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2022)
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Halbbrücke
DC-Kollektorstrom
100A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.45V
Verlustleistung
258W
Betriebstemperatur, max.
150°C
IGBT-Anschluss
Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
650V
Transistormontage
Platte
SVHC
No SVHC (17-Jan-2022)
Dauerkollektorstrom
100A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
1.45V
Verlustleistung Pd
258W
Sperrschichttemperatur Tj, max.
150°C
Bauform - Transistor
Modul
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
650V
IGBT-Technologie
Trench-Transistor
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2022)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.15