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A2U12M12W2-F2
Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Vierfach n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.013 ohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerA2U12M12W2-F2
Bestellnummer3993600
Technisches Datenblatt
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerA2U12M12W2-F2
Bestellnummer3993600
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationDrei-Ebenen-Wechselrichter
KanaltypVierfach n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id75A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.013ohm
Bauform - TransistorACEPACK 2
Anzahl der Pins29Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung-
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Drei-Ebenen-Wechselrichter
Dauer-Drainstrom Id
75A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.013ohm
Anzahl der Pins
29Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Kanaltyp
Vierfach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
ACEPACK 2
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
-
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Italy
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Italy
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.042
Produktnachverfolgung