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RF3L05150CB4
HF-FET-Transistor, 90 V, 150 W, 1 GHz, LBB
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerRF3L05150CB4
Bestellnummer3677411
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 203,080 |
| 5+ | € 189,330 |
| 10+ | € 172,660 |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerRF3L05150CB4
Bestellnummer3677411
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds90V
Dauer-Drainstrom Id-
Verlustleistung150W
Betriebsfrequenz, min.-
Betriebsfrequenz, max.1GHz
Bauform - TransistorLBB
Anzahl der Pins5Pin(s)
Betriebstemperatur, max.200°C
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageFlanschklemme
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
90V
Verlustleistung
150W
Betriebsfrequenz, max.
1GHz
Anzahl der Pins
5Pin(s)
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
Dauer-Drainstrom Id
-
Betriebsfrequenz, min.
-
Bauform - Transistor
LBB
Betriebstemperatur, max.
200°C
Transistormontage
Flanschklemme
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00024
Produktnachverfolgung