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HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTB75NF75LT4
Bestellnummer1752011
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
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10+ | € 1,870 |
100+ | € 1,290 |
500+ | € 1,170 |
1000+ | € 1,040 |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTB75NF75LT4
Bestellnummer1752011
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds75V
Dauer-Drainstrom Id37.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.011ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung15V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung300W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell STB75NF75LT4 handelt es sich um einen n-Kanal-STripFET™ II-Leistungs-MOSFET, der speziell zum Minimieren der Eingangskapazität und der Gate-Ladung entwickelt wurde. Dieser MOSFET eignet sich daher für den Einsatz als Hauptschalter in fortschrittlichen isolierten Hochfrequenz-DC/DC-Wandlern mit hohem Wirkungsgrad für Telekommunikations- und Computeranwendungen. Zudem ist er für alle Anwendungen geeignet, die eine niedrige Gate-Ladung erfordern.
- Hervorragendes dV/dt-Verhalten
- 100% Avalanche-getestet
- Niedriger Schwellenwert
- Sperrschicht-Betriebstemperatur: -55 bis 175°C
Anwendungen
Power-Management, Kommunikation & Netzwerke, Computer & Computerperipheriegeräte, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
37.5A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
15V
Verlustleistung
300W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
75V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.011ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0002
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