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STD10NF10T4
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTD10NF10T4
Bestellnummer1175682
Technisches Datenblatt
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTD10NF10T4
Bestellnummer1175682
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.13ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung50W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell STD10NF10T4 handelt es sich um einen n-Kanal-STripFET™ II-Leistungs-MOSFET, der speziell zum Minimieren der Eingangskapazität und der Gate-Ladung entwickelt wurde. Dieser MOSFET eignet sich daher für den Einsatz als Hauptschalter in fortschrittlichen isolierten Hochfrequenz-DC/DC-Wandlern mit hohem Wirkungsgrad für Telekommunikations- und Computeranwendungen. Zudem ist er für alle Anwendungen geeignet, die eine niedrige Gate-Ladung erfordern.
- Exceptional dV/dt capability
- Application oriented characterization
- -55 to 175°C Operating junction temperature range
Anwendungen
Power-Management, Kommunikation & Netzwerke, Computer & Computerperipheriegeräte, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
13A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
50W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.13ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für STD10NF10T4
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004
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