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STD11N60M6
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTD11N60M6
Bestellnummer3680102
ProduktpaletteMDmesh M6
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 1,190 |
| 10+ | € 1,050 |
| 100+ | € 0,866 |
| 500+ | € 0,777 |
| 1000+ | € 0,717 |
| 5000+ | € 0,669 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 1,19 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTD11N60M6
Bestellnummer3680102
ProduktpaletteMDmesh M6
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.5ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung90W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteMDmesh M6
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
8A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
90W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.5ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
MDmesh M6
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00033