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STD18N55M5
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 13 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTD18N55M5
Bestellnummer2098164
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
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| 10+ | € 2,410 |
| 100+ | € 1,710 |
| 500+ | € 1,510 |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTD18N55M5
Bestellnummer2098164
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds550V
Dauer-Drainstrom Id13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.18ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung90W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell STD18N55M5 handelt es sich um einen MDmesh™ V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der auf einer innovativen, proprietären vertikalen Prozesstechnologie mit der horizontalen PowerMESH™-Layout-Struktur basiert. So entsteht ein Baustein mit einem im Vergleich zu Silizium-basierten Leistungs-MOSFET äußerst niedrigen Durchgangswiderstand, wodurch er sich besonders eignet für Anwendungen, die eine äußerst hohe Leistungsdichte und einen herausragenden Wirkungsgrad erfordern.
- Höhere VDSS
- Gutes dV/dt-Verhalten
- Hervorragende Schaltleistung
- Einfache Ansteuerung
- 100% Avalanche-getestet
- Sperrschicht-Betriebstemperatur: -55 bis 150°C
Anwendungen
Power-Management, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
13A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
90W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
550V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.18ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000467
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