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Menge | |
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1+ | € 1,480 |
10+ | € 0,593 |
100+ | € 0,519 |
500+ | € 0,461 |
1000+ | € 0,396 |
5000+ | € 0,366 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell STD3NK60Z-1 handelt es sich um einen n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit SuperMESH™-Technologie, Zener-Schutzdiode und minimaler Gate-Ladung. Dieser SuperMESH™-MOSFET wurde durch die deutliche Optimierung des bewährten, Strip-basierten PowerMESH™-Layouts von ST erreicht. Neben einer erheblichen Senkung des Durchgangswiderstands bietet dieser Baustein ein hervorragendes dV/dt-Verhalten für die anspruchsvollsten Anwendungen. Dieser MOSFET ergänzt das komplette Angebot an Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs von ST, einschließlich revolutionärer MDmesh™-Produkte.
- Hervorragendes dV/dt-Verhalten
- 100% Avalanche-getestet
- Sehr niedrige intrinsische Kapazität
- Sehr gute Wiederholbarkeit bei der Herstellung
- Ideal für Offline-Netzteile, Adapter und PFC
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Beleuchtung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
n-Kanal
2.4A
TO-251AA
10V
45W
150°C
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No SVHC (21-Jan-2025)
600V
3.3ohm
Durchsteckmontage
3.75V
3Pin(s)
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Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat