STD60NF55LT4
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 1,960 |
| 10+ | € 1,370 |
| 100+ | € 0,966 |
| 500+ | € 0,749 |
| 1000+ | € 0,709 |
| 5000+ | € 0,614 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell STD60NF55LT4 handelt es sich um einen STripFET™ II-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der unter Verwendung des einzigartigen Single Feature Size™-Strip-basierten Verfahrens von STMicroelectronics hergestellt wird. Der Baustein zeichnet sich durch eine äußerst hohe Packungsdichte für einen niedrigen Durchgangswiderstand und ein robustes Avalanche-Verhalten aus. Zudem sind weniger Schritte zur Ausrichtung erforderlich, wodurch eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit in der Herstellung erzielt wird.
- Niedriger Schwellenwert
- Sperrschicht-Betriebstemperatur: -55 bis 175°C
Anwendungen
Power-Management, Industrie
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
n-Kanal
30A
TO-252 (DPAK)
10V
110W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
55V
0.012ohm
Oberflächenmontage
2V
3Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für STD60NF55LT4
7 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat