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HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTFH10N60M2
Bestellnummer2602653
ProduktpaletteMDmesh, M2
Technisches Datenblatt
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Menge | |
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500+ | € 0,613 |
1000+ | € 0,612 |
5000+ | € 0,611 |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTFH10N60M2
Bestellnummer2602653
ProduktpaletteMDmesh, M2
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.55ohm
Bauform - TransistorTO-220FP
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung25W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteMDmesh, M2
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
- Größerer Abstand zwischen den Pins (4.25mm)
- Besserer Schutz vor Hochspannungs-Lichtbogenbildung
- Kostensparende Lösung, verhindert die Verwendung teurer Behelfslösungen wie Silikonverguss, Hülsen, Biegen von Anschlussdrähten und Dichtmasse
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
7.5A
Bauform - Transistor
TO-220FP
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
25W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.55ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
MDmesh, M2
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für STFH10N60M2
1 Produkt(e) gefunden
Zugehörige Produkte
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.023587
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