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STGD4H60DF
IGBT, 8 A, 1.6 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTGD4H60DF
Bestellnummer4294107
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 0,754 |
| 10+ | € 0,540 |
| 100+ | € 0,428 |
| 500+ | € 0,427 |
| 1000+ | € 0,426 |
| 5000+ | € 0,425 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 0,75 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTGD4H60DF
Bestellnummer4294107
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom8A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.6V
Verlustleistung75W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.600V
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
8A
Verlustleistung
75W
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
-
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.6V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
600V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0003