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STGF30H65DFB2
IGBT, 50 A, 1.65 V, 50 W, 650 V, TO-220FP, 3 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTGF30H65DFB2
Bestellnummer3528425
ProduktpaletteHB2
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 1,420 |
| 10+ | € 1,240 |
| 100+ | € 1,030 |
| 500+ | € 0,920 |
| 1000+ | € 0,849 |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTGF30H65DFB2
Bestellnummer3528425
ProduktpaletteHB2
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom50A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.65V
Verlustleistung50W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.650V
Bauform - TransistorTO-220FP
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageDurchsteckmontage
ProduktpaletteHB2
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
50A
Verlustleistung
50W
Bauform - Transistor
TO-220FP
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
HB2
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.65V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
650V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0061