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STGW40H120DF2
IGBT, 80 A, 2.1 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTGW40H120DF2
Bestellnummer2807176
ProduktpaletteH
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 7,750 |
| 5+ | € 7,740 |
| 10+ | € 7,730 |
| 50+ | € 7,180 |
| 100+ | € 6,640 |
| 250+ | € 6,090 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 7,75 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTGW40H120DF2
Bestellnummer2807176
ProduktpaletteH
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom80A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung2.1V
Verlustleistung468W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageDurchsteckmontage
ProduktpaletteH
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
80A
Verlustleistung
468W
Bauform - Transistor
TO-247
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
H
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
2.1V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.006665
Produktnachverfolgung