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STGW80H65DFB
IGBT, 120 A, 1.6 V, 469 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTGW80H65DFB
Bestellnummer2807180
ProduktpaletteHB
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 6,570 |
| 5+ | € 5,990 |
| 10+ | € 5,400 |
| 50+ | € 4,820 |
| 100+ | € 4,410 |
| 250+ | € 4,000 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 6,57 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTGW80H65DFB
Bestellnummer2807180
ProduktpaletteHB
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom120A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.6V
Verlustleistung469W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.650V
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageDurchsteckmontage
ProduktpaletteHB
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
120A
Verlustleistung
469W
Bauform - Transistor
TO-247
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
HB
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.6V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
650V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001361