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HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTH3N150-2
Bestellnummer2629758
ProduktpalettePowerMESH
Technisches Datenblatt
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Menge | |
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1+ | € 4,540 |
10+ | € 3,390 |
100+ | € 2,540 |
500+ | € 2,280 |
1000+ | € 2,140 |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTH3N150-2
Bestellnummer2629758
ProduktpalettePowerMESH
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds1.5kV
Dauer-Drainstrom Id2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand9ohm
Bauform - TransistorH2PAK-2
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung140W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpalettePowerMESH
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
- 1500V, 2.5A N-channel PowerMESH™ power MOSFET in 3 pin H2PAK-2 package
- 100% avalanche tested
- Intrinsic capacitances and Qg minimized
- High speed switching
- Designed using company’s consolidated strip layout-based MESHOVERLAY™ process
- Suitable for switching applications
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
2.5A
Bauform - Transistor
H2PAK-2
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
140W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
1.5kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand
9ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
PowerMESH
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001623
Produktnachverfolgung