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STL50N6F7
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 9000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTL50N6F7
Bestellnummer3367057
ProduktpaletteSTripFET F7
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 1,300 |
| 10+ | € 0,869 |
| 100+ | € 0,599 |
| 500+ | € 0,473 |
| 1000+ | € 0,468 |
| 5000+ | € 0,463 |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTL50N6F7
Bestellnummer3367057
ProduktpaletteSTripFET F7
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand9000µohm
Bauform - TransistorPowerFLAT
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung71W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteSTripFET F7
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Anwendungen
Medizinelektronik
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
60A
Bauform - Transistor
PowerFLAT
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
71W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
9000µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
STripFET F7
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000076
Produktnachverfolgung