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STN1HNK60
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTN1HNK60
Bestellnummer2354521
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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| Menge | |
|---|---|
| 4000+ | € 0,387 |
| 12000+ | € 0,382 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 4000
Mehrere: 4000
€ 1.548,00 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTN1HNK60
Bestellnummer2354521
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand8ohm
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung3.3W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Qualifikation-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The STN1HNK60 is a 600V N-channel SuperMESH™ MOSFET with extreme optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Extremely high dv/dt capability
- ESD improved capability
- 100% Avalanche tested
- New high voltage benchmark
- Gate charge minimized
Anwendungen
Power-Management, Beleuchtung
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
500mA
Bauform - Transistor
SOT-223
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
3.3W
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
8ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Qualifikation
-
Technische Dokumente (2)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423300
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000225
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