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STO60N030M9
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 79 A, 0.03 ohm, TO-LL Typ A2, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTO60N030M9
Bestellnummer4690212
ProduktpaletteMDmesh M9 Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 7,010 |
| 5+ | € 6,400 |
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Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTO60N030M9
Bestellnummer4690212
ProduktpaletteMDmesh M9 Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id79A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.03ohm
Bauform - TransistorTO-LL Typ A2
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.2V
Verlustleistung255W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteMDmesh M9 Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
79A
Bauform - Transistor
TO-LL Typ A2
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
255W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.03ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.2V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
MDmesh M9 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Keine Angabe
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung