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STP40N60M2
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.088 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTP40N60M2
Bestellnummer2807298
ProduktpaletteMDmesh M2
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 5,720 |
| 5+ | € 5,200 |
| 10+ | € 4,690 |
| 50+ | € 4,170 |
| 100+ | € 3,660 |
| 250+ | € 3,140 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTP40N60M2
Bestellnummer2807298
ProduktpaletteMDmesh M2
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.088ohm
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung250W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteMDmesh M2
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
STP40N60M2 is a N-channel 600V, 0.078ohm typ., 34A MDmesh M2 Power MOSFET. This device is N-channel Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 technology. Due to their strip layout and improved vertical structure, the devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high efficiency converters. Application includes switching applications, LLC converters, resonant converters.
- Extremely low gate charge, excellent output capacitance (Cos) profile
- 100% avalanche tested, zener-protected
- 650V VDS at Tjmax, 0.088ohm maximum static drain-source on-resistance (VGS = 10V, ID = 17A)
- 34A typical source-drain current (TC = 25°C)
- 600V minimum drain-source breakdown voltage (VGS = 0, ID = 1mA)
- 3V typical gate threshold voltage (VDS = VGS, ID = 250µA)
- 10nC typical gate-source charge (VDD = 480V, ID = 34A, VGS = 10V)
- 13.5ns typical rise time (VDD = 300V, ID = 34A, RG = 4.7ohm, VGS = 10V)
- 1.6V maximum forward on voltage (ISD = 34A, VGS = 0)
- TO-220 package, operating junction temperature range from -55 to 150°C
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
34A
Bauform - Transistor
TO-220
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
250W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.088ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
MDmesh M2
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für STP40N60M2
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0023
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