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Menge | |
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1+ | € 1,980 |
10+ | € 1,290 |
100+ | € 1,270 |
500+ | € 1,160 |
1000+ | € 1,080 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell STP80NF12 handelt es sich um einen n-Kanal-STripFET™ II-Leistungs-MOSFET, der speziell zum Minimieren der Eingangskapazität und der Gate-Ladung entwickelt wurde. Dieser MOSFET eignet sich daher für den Einsatz als Hauptschalter in fortschrittlichen isolierten Hochfrequenz-DC/DC-Wandlern mit hohem Wirkungsgrad für Telekommunikations- und Computeranwendungen. Zudem ist er für alle Anwendungen geeignet, die eine niedrige Gate-Ladung erfordern.
- Hervorragendes dV/dt-Verhalten
- 100% Avalanche-getestet
- Auf die Anwendung ausgerichtetes Verhalten
- Sperrschicht-Betriebstemperatur: -55 bis 175°C
Anwendungen
Power-Management, Kommunikation & Netzwerke, Computer & Computerperipheriegeräte, Industrie
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
n-Kanal
80A
TO-220
10V
300W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
120V
0.013ohm
Durchsteckmontage
2V
3Pin(s)
-
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Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat