STW26NM60N
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.135 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 6,900 |
| 10+ | € 4,210 |
| 100+ | € 3,570 |
| 500+ | € 3,390 |
| 1000+ | € 3,290 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell STW26NM60N handelt es sich um einen 600V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der mithilfe der zweiten Generation der MDmesh™-Technologie hergestellt wird. Dieser revolutionäre Leistungs-MOSFET vereint eine vertikale Struktur mit dem Strip-Layout des Unternehmens, wodurch einer der weltweit niedrigsten Durchgangswiderstände und eine der niedrigsten Gate-Ladungen erreicht werden. Daher eignet er sich für die meisten anspruchsvollen Wandleranwendungen mit hohem Wirkungsgrad. Durch die verbesserte Gate-Ladung und die geringeren Leistungsverluste werden die heutigen hohen Anforderungen an den Wirkungsgrad erfüllt.
- 100% Avalanche-getestet
- Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung
- Niedriger Gate-Eingangswiderstand
Anwendungen
Industrie
Technische Spezifikationen
n-Kanal
20A
TO-247
10V
140W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
600V
0.135ohm
Durchsteckmontage
3V
3Pin(s)
-
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für STW26NM60N
5 Produkte gefunden
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat