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STW40N60M2
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.078 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTW40N60M2
Bestellnummer3367084
ProduktpaletteMDmesh M2
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 5,210 |
| 5+ | € 4,980 |
| 10+ | € 4,740 |
| 50+ | € 4,190 |
| 100+ | € 3,640 |
| 250+ | € 3,090 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 5,21 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTW40N60M2
Bestellnummer3367084
ProduktpaletteMDmesh M2
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.078ohm
Bauform - TransistorTO-247
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung250W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteMDmesh M2
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
34A
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
250W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.078ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
MDmesh M2
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00443