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STW72N60DM2AG
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 66 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTW72N60DM2AG
Bestellnummer4036341
ProduktpaletteMDmesh DM2 Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 7,120 |
| 5+ | € 6,690 |
| 10+ | € 6,260 |
| 50+ | € 5,840 |
| 100+ | € 5,410 |
| 250+ | € 4,980 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 7,12 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerSTW72N60DM2AG
Bestellnummer4036341
ProduktpaletteMDmesh DM2 Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id66A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.037ohm
Bauform - TransistorTO-247
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung446W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteMDmesh DM2 Series
QualifikationAEC-Q101
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
66A
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
446W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.037ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
MDmesh DM2 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00443
Produktnachverfolgung