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TIP112
Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 50 W, 2 A, TO-220, 3 Pin(s)
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 1,250 |
| 10+ | € 0,587 |
| 100+ | € 0,520 |
| 500+ | € 0,405 |
| 1000+ | € 0,368 |
| 5000+ | € 0,303 |
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Produktspezifikationen
HerstellerSTMICROELECTRONICS
HerstellerteilenummerTIP112
Bestellnummer9803971
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo100V
Verlustleistung Pd50W
DC-Kollektorstrom2A
Bauform - HF-TransistorTO-220
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE500hFE
TransistormontageDurchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The TIP112 is a NPN complementary silicon epitaxial-base Power Transistor with monolithic Darlington configuration mounted in a JEDEC plastic package. It is intended for use in medium power linear and switching applications.
- Integrated anti-parallel collector-emitter diode
- PNP complementary type is TIP117
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Verlustleistung Pd
50W
Bauform - HF-Transistor
TO-220
DC-Stromverstärkung hFE
500hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
100V
DC-Kollektorstrom
2A
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für TIP112
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002