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ESH2DFSH
Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 960 mV, 25 ns, 80 A
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTAIWAN SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerESH2DFSH
Bestellnummer3772984RL
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
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Produktspezifikationen
HerstellerTAIWAN SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerESH2DFSH
Bestellnummer3772984RL
Technisches Datenblatt
Periodische Spitzensperrspannung200V
Durchschnittlicher Durchlassstrom2A
DiodenkonfigurationEinfach
Durchlassspannung, max.960mV
Sperrverzögerungszeit25ns
Durchlassstoßstrom80A
Betriebstemperatur, max.175°C
Bauform - DiodeSOD-128
Anzahl der Pins2 Pins
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Technische Spezifikationen
Periodische Spitzensperrspannung
200V
Diodenkonfiguration
Einfach
Sperrverzögerungszeit
25ns
Betriebstemperatur, max.
175°C
Anzahl der Pins
2 Pins
Qualifikation
AEC-Q101
Durchschnittlicher Durchlassstrom
2A
Durchlassspannung, max.
960mV
Durchlassstoßstrom
80A
Bauform - Diode
SOD-128
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004
Produktnachverfolgung