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2SK3075(TE12L,Q)
HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTOSHIBA
Herstellerteilenummer2SK3075(TE12L,Q)
Bestellnummer3870122
Auch bekannt als2SK3075, 2SK3075(TE12L
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 6,120 |
| 5+ | € 5,630 |
| 10+ | € 5,140 |
| 50+ | € 4,730 |
| 100+ | € 3,830 |
| 250+ | € 3,750 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
Herstellerteilenummer2SK3075(TE12L,Q)
Bestellnummer3870122
Auch bekannt als2SK3075, 2SK3075(TE12L
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id5A
Verlustleistung20W
Betriebsfrequenz, min.-
Betriebsfrequenz, max.520MHz
Bauform - TransistorSMD
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Verlustleistung
20W
Betriebsfrequenz, max.
520MHz
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
Dauer-Drainstrom Id
5A
Betriebsfrequenz, min.
-
Bauform - Transistor
SMD
Betriebstemperatur, max.
150°C
Transistormontage
Oberflächenmontage
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung