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SSM3K123TU,LF(T
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerSSM3K123TU,LF(T
Bestellnummer3872279
Auch bekannt alsSSM3K123TU ,SSM3K123TU,LF
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,577 |
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| 100+ | € 0,245 |
| 500+ | € 0,194 |
| 1000+ | € 0,172 |
| 5000+ | € 0,144 |
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerSSM3K123TU,LF(T
Bestellnummer3872279
Auch bekannt alsSSM3K123TU ,SSM3K123TU,LF
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id4.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.019ohm
Bauform - TransistorSOT-323F
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1V
Verlustleistung800mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
4.2A
Bauform - Transistor
SOT-323F
Rds(on)-Prüfspannung
4V
Verlustleistung
800mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.019ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
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