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SSM3K339R,LF(T
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 2 A, 0.145 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerSSM3K339R,LF(T
Bestellnummer3872287
Auch bekannt alsSSM3K339R ,SSM3K339R,LF
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,659 |
| 50+ | € 0,438 |
| 100+ | € 0,228 |
| 500+ | € 0,216 |
| 1500+ | € 0,205 |
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerSSM3K339R,LF(T
Bestellnummer3872287
Auch bekannt alsSSM3K339R ,SSM3K339R,LF
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.145ohm
Bauform - TransistorSOT-23F
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung8V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.2V
Verlustleistung1W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
2A
Bauform - Transistor
SOT-23F
Rds(on)-Prüfspannung
8V
Verlustleistung
1W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.145ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.2V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
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