Seite drucken
SSM6P49NU,LF(T
Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.036 ohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerSSM6P49NU,LF(T
Bestellnummer3872308RL
Auch bekannt alsSSM6P49NU ,SSM6P49NU,LF
Technisches Datenblatt
2 300 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
EXPRESS-Lieferung in 1–2 Arbeitstagen
Bestellung vor 17:00
KOSTENLOSE Standardlieferung
für Bestellungen ab € 0,00
Genaue Lieferzeiten werden an der Kasse berechnet
| Menge | |
|---|---|
| 100+ | € 0,278 |
| 500+ | € 0,230 |
| 1000+ | € 0,206 |
| 5000+ | € 0,148 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 5
€ 32,80 (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von € 5,00 an
Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerSSM6P49NU,LF(T
Bestellnummer3872308RL
Auch bekannt alsSSM6P49NU ,SSM6P49NU,LF
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal20V
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id4A
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.036ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.036ohm
Bauform - TransistorUDFN
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal1W
Verlustleistung, p-Kanal1W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.036ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
1W
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id
4A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.036ohm
Bauform - Transistor
UDFN
Verlustleistung, n-Kanal
1W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung