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HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTBD62502AFWG(Z,EHZ
Bestellnummer4178779
Auch bekannt alsTBD62502AFWG, TBD62502AFWG(Z
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
1+ | € 0,683 |
10+ | € 0,624 |
100+ | € 0,579 |
500+ | € 0,515 |
1000+ | € 0,494 |
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Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTBD62502AFWG(Z,EHZ
Bestellnummer4178779
Auch bekannt alsTBD62502AFWG, TBD62502AFWG(Z
Technisches Datenblatt
Versorgungsspannung, min.-
Versorgungsspannung, max.-
Anzahl der Ausgänge7Ausgänge
Ausgangsspannung50V
Ausgangsstrom300mA
Bauform - TreiberPSOP
Produktpalette-
SVHCTo Be Advised
Produktbeschreibung
- TBD62502A series BiCD silicon monolithic integrated circuit
- 7 channel sink type DMOS transistor array
- High voltage is 50V (max, Ta = 25°C), high current is 300mA/ch (max, Ta = 25°C)
- Input voltage range from 14 to 25V (output on, IOUT = 100mA or more, VOUT = 2V, Ta = −40 to 85 °C)
- Output leakage current is 1.0μA (max, VOUT = 50V, Ta = 85°C, VIN = 0V)
- Turn on delay is 0.4μs (typ, VOUT = 50V, RL = 200 ohm, CL = 15pF)
- Turn off delay is 0.8μs (typ, VOUT = 50V, RL = 200 ohm, CL = 15pF)
- P-SOP16-0410-1.27-002 package, operating temperature range from -40 to 85°C
Hinweise
Please be careful about thermal conditions during use.
Technische Spezifikationen
Versorgungsspannung, min.
-
Anzahl der Ausgänge
7Ausgänge
Ausgangsstrom
300mA
Produktpalette
-
Versorgungsspannung, max.
-
Ausgangsspannung
50V
Bauform - Treiber
PSOP
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00015
Produktnachverfolgung