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TK100A08N1,S4X(S
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 214 A, 0.0026 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTK100A08N1,S4X(S
Bestellnummer4172984
Auch bekannt alsTK100A08N1, TK100A08N1,S4X
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 5,220 |
| 10+ | € 3,790 |
| 100+ | € 2,350 |
| 500+ | € 2,030 |
| 1000+ | € 1,990 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTK100A08N1,S4X(S
Bestellnummer4172984
Auch bekannt alsTK100A08N1, TK100A08N1,S4X
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id214A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0026ohm
Bauform - TransistorTO-220SIS
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung45W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
214A
Bauform - Transistor
TO-220SIS
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
45W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0026ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0017
Produktnachverfolgung