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TK20N60W,S1VF(S
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTK20N60W,S1VF(S
Bestellnummer4173040
Auch bekannt alsTK20N60W, TK20N60W,S1VF
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 7,040 |
| 10+ | € 6,840 |
| 100+ | € 4,460 |
| 500+ | € 3,740 |
| 1000+ | € 3,420 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 7,04 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTK20N60W,S1VF(S
Bestellnummer4173040
Auch bekannt alsTK20N60W, TK20N60W,S1VF
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.13ohm
Bauform - TransistorTO-247
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.7V
Verlustleistung165W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
20A
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
165W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.13ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.7V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00615
Produktnachverfolgung