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TK62Z60X,S1F(O
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTK62Z60X,S1F(O
Bestellnummer4173135
Auch bekannt alsTK62Z60X, TK62Z60X,S1F
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 14,260 |
| 5+ | € 11,670 |
| 10+ | € 9,070 |
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Produktspezifikationen
HerstellerTOSHIBA
HerstellerteilenummerTK62Z60X,S1F(O
Bestellnummer4173135
Auch bekannt alsTK62Z60X, TK62Z60X,S1F
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id61.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.033ohm
Bauform - TransistorTO-247
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.5V
Verlustleistung400W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCTo Be Advised
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
61.8A
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
400W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.033ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.5V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
To Be Advised
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Japan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00635
Produktnachverfolgung